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  r 20 1 5 10e 1 / 1 0 n ??? n - channel mosfet jcs10n70 h order codes ? marking ? package halogen free ? packaging device weight jcs 1 0n 70ch - o - c - n - b jcs 1 0n 70ch to - 220c no tube 2.15 g(typ) jcs 1 0n 70fh - o - f - n - b jcs 1 0n 70fh to - 220 m f no tube 2.20 g(t yp) ? package ? main characteristics i d 10 a v dss 7 00 v rdson - max @vgs=10v 1.1 0 ? qg - typ 3 8 .0 nc ? ? ??? ? ? ups ? applications ? high frequency switch mode power suppl y ? electronic ballas ts ? ups ? ? ? ? c rss ( ? 10 pf ) ? ?? ? ??? ? ? dv/dt ? rohs ? features ? l ow gate charge ? low c rss (typica l 10 pf ) ? fast switching ? 100% avalanche tested ? improved dv/dt capa bility ? rohs product ? order message
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r jcs10n70 h 20 1 510e 5 / 1 0 electrical characteristics (curves) 1 10 1 10 v gs top 15v 10v 9v 8v 7v 6.5v 6v 5.5v bottom 5v notes: 1. 250s pulse test 2. t c = 2 5 i d [a] v ds [v] 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0.1 1 10 notes: 1.250s pulse test 2.v ds =20v 25 i d [a] v gs [v] 150 0.1 1 10 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 notes: 1. 250s pulse test 2. v gs =0v 2 5 1 5 0 v sd [v] i dr [a] on - region characteristics transfer characteristics on - resistance variation vs. drain current and gate voltage body diode forward voltage variation vs. source current and temperature capacitance characteristics gate charge characteristics 10 -1 10 0 10 1 0.1 1 10 100 1000 10000 coss ciss crss *note: 1. v gs =0v 2. f=1 mhz c iss =c gs +c gd (c ds =shorted) c oss =c ds +c gd c rss =c gd capacitance [pf] v ds drain-source voltage [v] 0 2 4 6 8 10 12 0 10 20 30 40 50 *note:id=10a v ds =560v v ds =350v v ds =120v q g toltal gate charge [nc] v gs gate source voltage[v] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 1.0 1.5 2.0 note:t j = 2 5 v gs =10v v gs =20v r ds (on) [ ] i d [a]
r jcs10n70 h 20 1 510e 6 / 1 0 electrical characteristics (curves) 10 0 10 1 10 2 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 operation in this area is limited by r ds(on) note: 1 t c = 2 5 2 t j = 1 5 0 3 single pulse 10s 1ms 100s 10ms 100ms dc i d drain current [a] v ds drain-source voltage [v] 10 0 10 1 10 2 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 100ms operation in this area is limited by r ds(on) note: 1 t c = 2 5 2 t j = 1 5 0 3 single pulse 10s 1ms 100s 10ms dc i d drain current [a] v ds drain-source voltage [v] 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 12 i d drain current [a] t c c a s e t e m p e r a t u r e [ ] breakdown voltage variation vs. temperature on - resistance variation vs. temperature maximum drain current vs. case temperature maximum safe operating area for jcs 1 0n 70 c h -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00 1.05 1.10 1.15 1.20 notes: 1. v g s =0v 2. i d =250a bv ds (normalized) t j [ ] -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 notes: 1. v gs =10v 2. i d =5.0a r d (on) (normalized) t j [ ] maximum safe operating area for jcs 1 0n 70fh
                                                  
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